鋰電池異常原因匯總以及鋰電池保護(hù)板故障判斷2021-03-27 08:27
鋰電池異常原因匯總，包括鋰電池容量，鋰電池內(nèi)阻，鋰電池電壓，尺寸超厚，斷路等，電池之都進(jìn)行了簡(jiǎn)單匯總并分享給大家。
1、電池容量低
產(chǎn)生原因：a.附料量偏少；b.極片兩面附料量相差較大；c.極片斷裂；d.電解液少；e.電解液電導(dǎo)率低；f.正極與負(fù)極配片未配好；g.隔膜孔隙率小；h.膠粘劑老化→附料脫落；i.卷芯超厚（未烘干或電解液未滲透）j.分容時(shí)未充滿電；k.正負(fù)極材料比容量小。
2、電池內(nèi)阻高
產(chǎn)生原因：a.負(fù)極片與極耳虛焊；b.正極片與極耳虛焊；c.正極耳與蓋帽虛焊；d.負(fù)極耳與殼虛焊；e.鉚釘與壓板接觸內(nèi)阻大；f.正極未加導(dǎo)電劑；g.電解液沒(méi)有鋰鹽；h.電池曾經(jīng)發(fā)生短路；i.隔膜紙孔隙率小。
3、電池電壓低
產(chǎn)生原因：a.副反應(yīng)（電解液分解；正極有雜質(zhì)；有水）；b.未化成好（SEI膜未形成安全）；c.客戶(hù)的線路板漏電（指客戶(hù)加工后送回的電芯）；d.客戶(hù)未按要求點(diǎn)焊（客戶(hù)加工后的電芯）；e.毛刺；f.微短路；g.負(fù)極產(chǎn)生枝晶。
4、超厚
a.焊縫漏氣;b.電解液分解;c.未烘干水分;d.蓋帽密封性差;e.殼壁太厚;f.殼太厚;g.卷芯太厚（附料太多；極片未壓實(shí)；隔膜太厚）。
5、電池化成異常
a.未化成好（SEI膜不完整、致密）；b.烘烤溫度過(guò)高→粘合劑老化→脫料；c.負(fù)極比容量低；d.正極附料多而負(fù)極附料少；e.蓋帽漏氣，焊縫漏氣；f.電解液分解，電導(dǎo)率降低。
6、電池爆炸
a.分容柜有故障（造成過(guò)充）；b.隔膜閉合效應(yīng)差；c.內(nèi)部短路。
7、電池短路
a.料塵；b.裝殼時(shí)裝破；c.尺刮（隔膜紙?zhí)』蛭磯|好）；d.卷繞不齊；e.沒(méi)包好；f.隔膜有洞；g.毛刺
8、電池?cái)嗦?/strong>
a）極耳與鉚釘未焊好，或者有效焊點(diǎn)面積小；b）連接片斷裂（連接片太短或與極片點(diǎn)焊時(shí)焊得太靠下）
鋰電池保護(hù)板常見(jiàn)不良分析
一、無(wú)閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負(fù)載
此類(lèi)不良首要排除電芯不良（電芯原本無(wú)電壓或電壓低），假設(shè)電芯不良則應(yīng)檢驗(yàn)保護(hù)板的自耗電，看是否是保護(hù)板自耗電過(guò)大導(dǎo)致電芯電壓低。假設(shè)電芯電壓正常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板整個(gè)回路不通（元器件虛焊、假焊、FUSE不良、pCB板內(nèi)部電路不通、過(guò)孔不通、MOS、IC損壞等）。具體分析
過(guò)程如下：
（一）、用萬(wàn)用表黑表筆接電芯負(fù)極，紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端，IC的Vdd、Dout、Cout端，p+端（假定電芯電壓為3.8V），逐段進(jìn)行分析，此幾個(gè)檢驗(yàn)點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是，則此段電路有問(wèn)題。
1、FUSE兩端電壓有改動(dòng)：檢驗(yàn)FUSE是否導(dǎo)通，若導(dǎo)公例是pCB板內(nèi)部電路不通；若不導(dǎo)公例FUSE有問(wèn)題（來(lái)料不良、過(guò)流損壞（MOS或IC操控失效）、質(zhì)料有問(wèn)題（在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞），然后用導(dǎo)線短接FUSE，持續(xù)往后分析。
2、R1電阻兩端電壓有改動(dòng)：檢驗(yàn)R1電阻值，若電阻值失常，則或許是虛焊，電阻自身開(kāi)裂。若電阻值無(wú)失常，則或許是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問(wèn)題。
3、IC檢驗(yàn)端電壓有改動(dòng)：Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端失常，則是因?yàn)镮C虛焊或損壞。
4、若前面電壓都無(wú)改動(dòng)，檢驗(yàn)B-到p+間的電壓失常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板正極過(guò)孔不通。
（二）、萬(wàn)用表紅表筆接電芯正極，激活MOS管后，黑表筆依次接MOS管2、3腳，6、7腳，p-端。
1.MOS管2、3腳，6、7腳電壓有改動(dòng)，則標(biāo)明MOS管失常。
2.若MOS管電壓無(wú)改動(dòng)，p-端電壓失常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板負(fù)極過(guò)孔不通。
二、短路無(wú)保護(hù)
1、VM端電阻出現(xiàn)問(wèn)題：可用萬(wàn)用表一表筆接IC2腳，一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳，供認(rèn)其電阻值大小?？措娮枧cIC、MOS管腳有無(wú)虛焊。
2、IC、MOS失常：因?yàn)檫^(guò)放保護(hù)與過(guò)流、短路保護(hù)共用一個(gè)MOS管，若短路失常是因?yàn)镸OS出現(xiàn)問(wèn)題，則此板應(yīng)無(wú)過(guò)放保護(hù)功用。
3、以上為正常情況下的不良，也或許出現(xiàn)IC與MOS裝備不良引起的短路失常。如前期出現(xiàn)的BK-901，其型號(hào)為‘312D’的IC內(nèi)延遲時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動(dòng)作操控之前MOS或其它元器件已被損壞。注：其間供認(rèn)IC或MOS是否發(fā)作失常最簡(jiǎn)易、直接的方法便是對(duì)有懷疑的元器件進(jìn)行替換。
三、短路保護(hù)無(wú)自恢復(fù)
1、規(guī)劃時(shí)所用IC原本沒(méi)有自恢復(fù)功用，如G2J，G2Z等。
2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間過(guò)短，或短路檢驗(yàn)時(shí)未將負(fù)載移開(kāi)，如用萬(wàn)用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從檢驗(yàn)端移開(kāi)（萬(wàn)用表相當(dāng)于一個(gè)幾兆的負(fù)載）。
3、p+、p-間漏電，如焊盤(pán)之間存在帶雜質(zhì)的松香，帶雜質(zhì)的黃膠或p+、p-間電容被擊穿，ICVdd到Vss間被擊穿。（阻值只有幾K到幾百K）。
4、假設(shè)以上都沒(méi)問(wèn)題，或許IC被擊穿，可檢驗(yàn)IC各管腳之間阻值。
四、內(nèi)阻大
1、因?yàn)镸OS內(nèi)阻相對(duì)比較穩(wěn)定，出現(xiàn)內(nèi)阻大情況，首要懷疑的應(yīng)該是FUSE或pTC這些內(nèi)阻相對(duì)比較簡(jiǎn)單發(fā)作改動(dòng)的元器件。
2、假設(shè)FUSE或pTC阻值正常，則視保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測(cè)p+、p-焊盤(pán)與元器件面之間的過(guò)孔阻值，或許過(guò)孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象，阻值較大。
3、假設(shè)以上多沒(méi)有問(wèn)題，就要懷疑MOS是否出現(xiàn)失常：首要供認(rèn)焊接有沒(méi)有問(wèn)題；其次看板的厚度（是否簡(jiǎn)單彎折），因?yàn)閺澱蹠r(shí)或許導(dǎo)致管腳焊接處失常；再將MOS管放到顯微鏡下觀測(cè)是否破裂；終究用萬(wàn)用表檢驗(yàn)MOS管腳阻值，看是否被擊穿。
五、ID失常
1、ID電阻自身因?yàn)樘摵浮㈤_(kāi)裂或因電阻質(zhì)料不過(guò)關(guān)而出現(xiàn)失常：可從頭焊接電阻兩端，若重焊后ID正常則是電阻虛焊，若開(kāi)裂則電阻會(huì)在重焊后從中裂開(kāi)。
2、ID過(guò)孔不導(dǎo)通：可用萬(wàn)用表檢驗(yàn)過(guò)孔兩端。
3、內(nèi)部線路出現(xiàn)問(wèn)題：可刮開(kāi)阻焊漆看內(nèi)部電路有無(wú)斷開(kāi)、短路現(xiàn)象。
1、電池容量低
產(chǎn)生原因：a.附料量偏少；b.極片兩面附料量相差較大；c.極片斷裂；d.電解液少；e.電解液電導(dǎo)率低；f.正極與負(fù)極配片未配好；g.隔膜孔隙率小；h.膠粘劑老化→附料脫落；i.卷芯超厚（未烘干或電解液未滲透）j.分容時(shí)未充滿電；k.正負(fù)極材料比容量小。
2、電池內(nèi)阻高
產(chǎn)生原因：a.負(fù)極片與極耳虛焊；b.正極片與極耳虛焊；c.正極耳與蓋帽虛焊；d.負(fù)極耳與殼虛焊；e.鉚釘與壓板接觸內(nèi)阻大；f.正極未加導(dǎo)電劑；g.電解液沒(méi)有鋰鹽；h.電池曾經(jīng)發(fā)生短路；i.隔膜紙孔隙率小。
3、電池電壓低
產(chǎn)生原因：a.副反應(yīng)（電解液分解；正極有雜質(zhì)；有水）；b.未化成好（SEI膜未形成安全）；c.客戶(hù)的線路板漏電（指客戶(hù)加工后送回的電芯）；d.客戶(hù)未按要求點(diǎn)焊（客戶(hù)加工后的電芯）；e.毛刺；f.微短路；g.負(fù)極產(chǎn)生枝晶。
4、超厚
a.焊縫漏氣;b.電解液分解;c.未烘干水分;d.蓋帽密封性差;e.殼壁太厚;f.殼太厚;g.卷芯太厚（附料太多；極片未壓實(shí)；隔膜太厚）。
5、電池化成異常
a.未化成好（SEI膜不完整、致密）；b.烘烤溫度過(guò)高→粘合劑老化→脫料；c.負(fù)極比容量低；d.正極附料多而負(fù)極附料少；e.蓋帽漏氣，焊縫漏氣；f.電解液分解，電導(dǎo)率降低。
6、電池爆炸
a.分容柜有故障（造成過(guò)充）；b.隔膜閉合效應(yīng)差；c.內(nèi)部短路。
7、電池短路
a.料塵；b.裝殼時(shí)裝破；c.尺刮（隔膜紙?zhí)』蛭磯|好）；d.卷繞不齊；e.沒(méi)包好；f.隔膜有洞；g.毛刺
8、電池?cái)嗦?/strong>
a）極耳與鉚釘未焊好，或者有效焊點(diǎn)面積小；b）連接片斷裂（連接片太短或與極片點(diǎn)焊時(shí)焊得太靠下）
鋰電池保護(hù)板常見(jiàn)不良分析
一、無(wú)閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負(fù)載
此類(lèi)不良首要排除電芯不良（電芯原本無(wú)電壓或電壓低），假設(shè)電芯不良則應(yīng)檢驗(yàn)保護(hù)板的自耗電，看是否是保護(hù)板自耗電過(guò)大導(dǎo)致電芯電壓低。假設(shè)電芯電壓正常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板整個(gè)回路不通（元器件虛焊、假焊、FUSE不良、pCB板內(nèi)部電路不通、過(guò)孔不通、MOS、IC損壞等）。具體分析
過(guò)程如下：
（一）、用萬(wàn)用表黑表筆接電芯負(fù)極，紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端，IC的Vdd、Dout、Cout端，p+端（假定電芯電壓為3.8V），逐段進(jìn)行分析，此幾個(gè)檢驗(yàn)點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是，則此段電路有問(wèn)題。
1、FUSE兩端電壓有改動(dòng)：檢驗(yàn)FUSE是否導(dǎo)通，若導(dǎo)公例是pCB板內(nèi)部電路不通；若不導(dǎo)公例FUSE有問(wèn)題（來(lái)料不良、過(guò)流損壞（MOS或IC操控失效）、質(zhì)料有問(wèn)題（在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞），然后用導(dǎo)線短接FUSE，持續(xù)往后分析。
2、R1電阻兩端電壓有改動(dòng)：檢驗(yàn)R1電阻值，若電阻值失常，則或許是虛焊，電阻自身開(kāi)裂。若電阻值無(wú)失常，則或許是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問(wèn)題。
3、IC檢驗(yàn)端電壓有改動(dòng)：Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端失常，則是因?yàn)镮C虛焊或損壞。
4、若前面電壓都無(wú)改動(dòng)，檢驗(yàn)B-到p+間的電壓失常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板正極過(guò)孔不通。
（二）、萬(wàn)用表紅表筆接電芯正極，激活MOS管后，黑表筆依次接MOS管2、3腳，6、7腳，p-端。
1.MOS管2、3腳，6、7腳電壓有改動(dòng)，則標(biāo)明MOS管失常。
2.若MOS管電壓無(wú)改動(dòng)，p-端電壓失常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板負(fù)極過(guò)孔不通。
二、短路無(wú)保護(hù)
1、VM端電阻出現(xiàn)問(wèn)題：可用萬(wàn)用表一表筆接IC2腳，一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳，供認(rèn)其電阻值大小?？措娮枧cIC、MOS管腳有無(wú)虛焊。
2、IC、MOS失常：因?yàn)檫^(guò)放保護(hù)與過(guò)流、短路保護(hù)共用一個(gè)MOS管，若短路失常是因?yàn)镸OS出現(xiàn)問(wèn)題，則此板應(yīng)無(wú)過(guò)放保護(hù)功用。
3、以上為正常情況下的不良，也或許出現(xiàn)IC與MOS裝備不良引起的短路失常。如前期出現(xiàn)的BK-901，其型號(hào)為‘312D’的IC內(nèi)延遲時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動(dòng)作操控之前MOS或其它元器件已被損壞。注：其間供認(rèn)IC或MOS是否發(fā)作失常最簡(jiǎn)易、直接的方法便是對(duì)有懷疑的元器件進(jìn)行替換。
三、短路保護(hù)無(wú)自恢復(fù)
1、規(guī)劃時(shí)所用IC原本沒(méi)有自恢復(fù)功用，如G2J，G2Z等。
2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間過(guò)短，或短路檢驗(yàn)時(shí)未將負(fù)載移開(kāi)，如用萬(wàn)用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從檢驗(yàn)端移開(kāi)（萬(wàn)用表相當(dāng)于一個(gè)幾兆的負(fù)載）。
3、p+、p-間漏電，如焊盤(pán)之間存在帶雜質(zhì)的松香，帶雜質(zhì)的黃膠或p+、p-間電容被擊穿，ICVdd到Vss間被擊穿。（阻值只有幾K到幾百K）。
4、假設(shè)以上都沒(méi)問(wèn)題，或許IC被擊穿，可檢驗(yàn)IC各管腳之間阻值。
四、內(nèi)阻大
1、因?yàn)镸OS內(nèi)阻相對(duì)比較穩(wěn)定，出現(xiàn)內(nèi)阻大情況，首要懷疑的應(yīng)該是FUSE或pTC這些內(nèi)阻相對(duì)比較簡(jiǎn)單發(fā)作改動(dòng)的元器件。
2、假設(shè)FUSE或pTC阻值正常，則視保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測(cè)p+、p-焊盤(pán)與元器件面之間的過(guò)孔阻值，或許過(guò)孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象，阻值較大。
3、假設(shè)以上多沒(méi)有問(wèn)題，就要懷疑MOS是否出現(xiàn)失常：首要供認(rèn)焊接有沒(méi)有問(wèn)題；其次看板的厚度（是否簡(jiǎn)單彎折），因?yàn)閺澱蹠r(shí)或許導(dǎo)致管腳焊接處失常；再將MOS管放到顯微鏡下觀測(cè)是否破裂；終究用萬(wàn)用表檢驗(yàn)MOS管腳阻值，看是否被擊穿。
五、ID失常
1、ID電阻自身因?yàn)樘摵浮㈤_(kāi)裂或因電阻質(zhì)料不過(guò)關(guān)而出現(xiàn)失常：可從頭焊接電阻兩端，若重焊后ID正常則是電阻虛焊，若開(kāi)裂則電阻會(huì)在重焊后從中裂開(kāi)。
2、ID過(guò)孔不導(dǎo)通：可用萬(wàn)用表檢驗(yàn)過(guò)孔兩端。
3、內(nèi)部線路出現(xiàn)問(wèn)題：可刮開(kāi)阻焊漆看內(nèi)部電路有無(wú)斷開(kāi)、短路現(xiàn)象。
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